Anzeigenbeschreibung
Zur Erfassung des Alterungszustandes eines IGBT-Leistungsmoduls kann die Sperrschichttemperatur der verwendeten Chips herangezogen werden. Da die Temperatur an der Sperrschicht nicht direkt gemessen werden kann, müssen temperatursensitive Parameter (z.B. IGBT Durchlassspannung) genutzt werden, um eine verwertbare Aussage treffen zu können.
Ziel dieser Diplomarbeit: Es ist zu ermitteln, welche temperatursensitiven Parameter eine hohe Genauigkeit und Reproduzierbarkeit zeigen. Darauf aufbauend soll an einem Leistungsmodul deren Abhängigkeit in Laborgenauigkeit ermittelt werden. Diese Ergebnisse dienen als Grundlage für die praktische Umsetzung der Messverfahren in einem Gate-Treiber, der einen IGBT im Pulsbetrieb ansteuert.
Folgender Arbeitsplan wird angestrebt:
- Literaturstudium (und Patentrecherche) zu den Themen: Zuverlässigkeit von Leistungshalbleitern auf Modulbasis, Temperaturabhängigkeit der elektrischen (messbaren) IGBT-Modulparameter, Anforderungen an die Messelektronik im Gate-Treiber
- Gegenüberstellung und Auswahl der aussichtsreichsten Verfahren
- Untersuchung der Temperaturabhängigkeit der ausgewählten Verfahren unter Laborbedingungen
- Konzept, Entwicklung und Aufbau eines Gate-Treibers mit zusätzlicher Messelektronik zur Temperaturerfassung über temperatursensitive Parameter
- Untersuchung des Gate-Treibers im Leerlauf und Pulsbetrieb des IGBTs auf Robustheit der Messverfahren
- Dokumentation der Ergebnisse und ggf. Verfassen der Abschlussarbeit
Ansprechpartner:
Herr Sebastian Krauß
Entwicklung Hardware
Tel.: 0351 - 323305-15
E-Mail: krauss@powerelectronics.de